在科研機構(gòu)的材料科學、生物醫(yī)學、環(huán)境科學等領域，對微觀結(jié)構(gòu)的高精度分析是推動研究進展的重要支撐。澤攸臺式掃描電子顯微鏡 ZEM18，憑借較高的分辨率與豐富的分析功能，成為科研人員開展微觀研究的得力工具。
產(chǎn)品細節(jié)
ZEM18 的機身設計注重穩(wěn)定性與擴展性，機身底部設有防震減震裝置，可有效減少外界振動對電子光學系統(tǒng)的影響，保障高分辨率圖像質(zhì)量。操作界面為專業(yè)級觸控屏，支持自定義掃描參數(shù)（如掃描速度、采樣點數(shù)、信號積分時間），同時配備鼠標、鍵盤接口，方便科研人員進行復雜的數(shù)據(jù)分析與參數(shù)調(diào)試。樣品室為多功能設計，除常規(guī)樣品放置外，還支持低溫樣品臺（-196℃至室溫）、加熱樣品臺（室溫至 500℃）等附件的安裝，可模擬不同環(huán)境條件下的樣品微觀變化（如材料的熱膨脹、生物樣品的冷凍觀察）。設備配備高靈敏度背散射電子探測器，支持成分襯度成像與原子序數(shù)襯度成像，可初步分析樣品的元素分布差異；同時預留能譜儀（EDS）、電子背散射衍射（EBSD）接口，可根據(jù)研究需求后期升級，實現(xiàn)元素分析與晶體結(jié)構(gòu)分析功能。此外，機身側(cè)面設有樣品預處理接口，可連接真空鍍膜儀、離子濺射儀等設備，實現(xiàn)樣品的原位預處理與觀察。
產(chǎn)品性能
ZEM18 的高分辨率性能能滿足科研級微觀分析需求。其二次電子圖像分辨率可達 2.0nm（30kV），在低電壓（1kV）下仍能保持 5.0nm 的分辨率，適合觀察易損傷的生物樣品、高分子材料等；背散射電子圖像分辨率為 4.0nm（30kV），可清晰區(qū)分樣品中不同元素的分布區(qū)域（如金屬合金中的相分離、復合材料中的成分梯度）。加速電壓調(diào)節(jié)精細，0.5 - 18kV 的范圍覆蓋從低電壓低損傷觀察到高電壓高分辨率分析的需求；放大倍數(shù)覆蓋 10 - 200000 倍，可實現(xiàn)從樣品宏觀形貌到納米級細節(jié)的連續(xù)觀察。在圖像采集方面，支持高分辨率靜態(tài)拍照（最大分辨率 4096×3072 像素）與動態(tài)視頻錄制（幀率可達 30 幀 / 秒），可捕捉樣品表面的動態(tài)變化（如材料在加熱過程中的形貌演變）。此外，設備具備圖像降噪、像散校正、自動拼接等高級功能，能提升圖像質(zhì)量與分析效率，如通過圖像拼接功能可獲得大面積（如 1mm×1mm）的高分辨率全景圖像，分析樣品的整體結(jié)構(gòu)與局部細節(jié)。
用材講究
為保障科研級性能與長期穩(wěn)定性，ZEM18 的電子光學系統(tǒng)核心部件選用高品質(zhì)材料。電子槍采用高純度鎢燈絲，經(jīng)過特殊處理，發(fā)射電流穩(wěn)定，使用壽命可達 300 - 500 小時，減少頻繁更換燈絲對實驗進度的影響；透鏡系統(tǒng)采用無氧銅精密加工，配合多層納米鍍膜，減少電子能量損失與散射，保障電子束的聚焦精度。樣品室內(nèi)部采用不銹鋼與鈦合金復合材質(zhì)，具備優(yōu)異的抗腐蝕能力，可應對酸性、堿性樣品的長期觀察；樣品臺采用高強度鋁合金，表面經(jīng)過精密研磨，平整度誤差小于 5μm，確保樣品放置后的穩(wěn)定性。探測器選用高靈敏度半導體材料，信號采集效率高，噪聲低，能捕捉微弱的二次電子與背散射電子信號；內(nèi)部電路采用低噪聲設計，減少電子干擾，保障圖像的信噪比。真空系統(tǒng)采用高品質(zhì)分子泵與機械泵，真空度穩(wěn)定且抽氣速度快，可快速達到高真空狀態(tài)，減少樣品在低真空環(huán)境中的暴露時間。
參數(shù)詳情
廣泛用途
在材料科學研究中，ZEM18 可用于觀察納米材料的形貌與尺寸分布（如納米顆粒、納米管）、金屬材料的相變過程、復合材料的界面結(jié)構(gòu)，為材料性能優(yōu)化提供微觀依據(jù)；在生物醫(yī)學研究中，能觀察細胞在支架材料表面的黏附與增殖形態(tài)、病毒顆粒的結(jié)構(gòu)特征（需配合低溫樣品臺），助力疾病診斷與藥物研發(fā)；在環(huán)境科學領域，可分析大氣顆粒物的形貌與成分（需配合能譜儀）、土壤微生物的群落結(jié)構(gòu)，為環(huán)境污染治理提供數(shù)據(jù)支持；在地質(zhì)學研究中，還能觀察巖石礦物的微觀結(jié)構(gòu)、化石的精細形態(tài)，輔助研究地質(zhì)演化過程與古生物生態(tài)。
使用說明
使用前，將 ZEM18 放置在恒溫恒濕的科研實驗室中，安裝在光學防震平臺上，確保環(huán)境溫度波動小于 ±2℃/ 小時，遠離強磁場、強電場與氣流干擾。打開設備電源，進行預熱（建議預熱 1 小時），期間啟動真空系統(tǒng)，檢查真空度是否達到高真空要求（≤5×10??Pa）。根據(jù)研究需求準備樣品：金屬、半導體等導電性樣品需清潔表面氧化層與污染物；高分子、生物等絕緣樣品需進行噴金或碳鍍膜處理（鍍膜厚度 5 - 10nm）；若需低溫觀察，將樣品冷凍后安裝在低溫樣品臺上，若需加熱觀察，將樣品固定在加熱樣品臺上并連接溫度控制系統(tǒng)。將樣品臺安裝到設備中，關(guān)閉樣品室門，等待真空度恢復后，選擇探測器類型與加速電壓：觀察表面形貌選用二次電子探測器，分析成分差異選用背散射電子探測器；低電壓（0.5 - 5kV）適合易損傷樣品，高電壓（10 - 18kV）適合高分辨率觀察。設置掃描參數(shù)（如掃描速度、采樣點數(shù)），啟動圖像掃描，通過觸控屏或電腦軟件調(diào)節(jié)聚焦、像散校正、亮度與對比度，直至圖像清晰。如需高分辨率圖像，選擇慢掃描速度與高采樣點數(shù)，若需動態(tài)觀察，選擇快掃描速度。圖像采集完成后，利用配套軟件進行數(shù)據(jù)分析，如顆粒尺寸測量、灰度值統(tǒng)計、圖像拼接等，并保存原始數(shù)據(jù)與分析報告。實驗結(jié)束后，關(guān)閉掃描程序，待樣品室放氣后取出樣品，若使用了特殊樣品臺，需按照說明書進行拆卸與清潔。日常維護中，每周檢查一次真空系統(tǒng)的油位與濾芯狀態(tài)，每月清潔一次電子槍腔體（需在專業(yè)人員指導下進行），每季度對探測器與透鏡系統(tǒng)進行校準；若發(fā)現(xiàn)圖像分辨率下降、真空度無法達標等問題，及時聯(lián)系廠家技術(shù)人員檢修，避免自行拆解核心部件。
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