ZYGO 3D光學輪廓儀半導體領(lǐng)域的應(yīng)用

產(chǎn)品簡介

ZYGO 3D光學輪廓儀半導體領(lǐng)域的應(yīng)用
半導體芯片封裝中，鍵合線（如金絲、銅線）的高度、弧度直接影響電路導通穩(wěn)定性，需測量鍵合線弧高（典型值 20-50μm）、焊點直徑（5-10μm），確保無偏移、斷裂缺陷。

產(chǎn)品型號：ZeGage Pro

更新時間：2025-10-23

廠商性質(zhì)：代理商

訪問量：122

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激光干涉儀

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ZYGO 3D光學輪廓儀半導體領(lǐng)域的應(yīng)用

一、芯片鍵合質(zhì)量檢測

（一）應(yīng)用場景與核心需求

半導體芯片封裝中，鍵合線（如金絲、銅線）的高度、弧度直接影響電路導通穩(wěn)定性，需測量鍵合線弧高（典型值 20-50μm）、焊點直徑（5-10μm），確保無偏移、斷裂缺陷。

（二）設(shè)備配置與操作

硬件選擇：選用 50X 物鏡（水平分辨率 0.64μm，垂直分辨率 0.05nm），搭配手動樣品臺（精準定位鍵合區(qū)域）；

參數(shù)設(shè)置：掃描范圍 0.5mm×0.5mm，數(shù)據(jù)點密度 1000 點 /mm2（捕捉微小焊點細節(jié)），開啟 “增強對比度"（鍵合線為金屬材質(zhì)，減少反光干擾）；

測量流程：將芯片固定在樣品臺，手動移動至鍵合線區(qū)域，自動對焦后掃描（約 20 秒 / 次），軟件生成 3D 形貌圖。

（三）數(shù)據(jù)應(yīng)用

軟件自動計算鍵合線弧高（誤≤0.1μm）、焊點直徑，若弧高偏差超 ±2μm，標記為不合格；

生成檢測報告，包含鍵合線 3D 圖與參數(shù)表，用于封裝工藝優(yōu)化（如調(diào)整鍵合機壓力、溫度）。

二、晶圓表面平整度測量

（一）應(yīng)用場景與核心需求

晶圓（如硅晶圓）表面平整度（PV 值、RMS 值）影響后續(xù)光刻精度，需測量整片晶圓局部區(qū)域（如 10mm×10mm）的平整度，要求 PV 值≤5μm、RMS 值≤0.5μm。

（二）設(shè)備配置與操作

硬件選擇：選用 10X 物鏡（水平分辨率 1.6μm，覆蓋較大區(qū)域），若批量檢測可選自動樣品臺（預(yù)設(shè)多個測量點位）；

參數(shù)設(shè)置：掃描范圍 10mm×10mm，數(shù)據(jù)點密度 500 點 /mm2（平衡精度與速度），掃描時間約 30 秒 / 區(qū)域；

測量流程：晶圓放在樣品臺中心，軟件預(yù)設(shè) 4 個邊角 + 1 個中心點位，自動完成多區(qū)域掃描。

（三）數(shù)據(jù)應(yīng)用

軟件計算各區(qū)域 PV 值、RMS 值，生成平整度分布熱力圖，直觀顯示高偏差區(qū)域；

對比不同批次晶圓數(shù)據(jù)，分析晶圓制造工藝穩(wěn)定性（如拋光環(huán)節(jié)是否達標）。

三、半導體封裝膠體檢測

（一）應(yīng)用場景與核心需求

封裝膠體（如環(huán)氧樹脂）的表面粗糙度、溢膠量需控制，避免影響芯片散熱，需測量膠體表面 Ra 值（≤0.2μm）、溢膠寬度（≤50μm）。

（二）設(shè)備配置與操作

硬件選擇：選用 20X 物鏡（水平分辨率 0.8μm，兼顧細節(jié)與范圍）；

參數(shù)設(shè)置：掃描范圍 2mm×2mm，數(shù)據(jù)點密度 800 點 /mm2，開啟 “缺陷識別"（閾值設(shè)為溢膠寬度≥50μm）；

測量流程：掃描膠體表面，軟件自動計算 Ra 值，標紅溢膠超標區(qū)域。

（三）數(shù)據(jù)應(yīng)用

若 Ra 值超 0.2μm，反饋至膠體固化工藝（如調(diào)整固化溫度、時間）；

統(tǒng)計溢膠率，作為封裝模具精度評估依據(jù)。

四、應(yīng)用注意事項

半導體樣品易受靜電損壞，測量前需對設(shè)備、樣品臺進行靜電接地（接地電阻≤1Ω）；

芯片、晶圓表面禁觸碰，需用鑷子夾持邊緣，避免指紋、污漬影響測量；

每次更換樣品后，需重新對焦（軟件 “自動對焦" 功能），確保數(shù)據(jù)準確性。

通過在半導體領(lǐng)域的針對性應(yīng)用，ZeGage Pro 以非接觸測量優(yōu)勢，滿足芯片、晶圓等精密樣品的檢測需求，為半導體制造提供可靠數(shù)據(jù)支撐。

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